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并使裸片之間或裸片與硅中介層之間的3D互連密度提高16倍以上。這樣可以大大減少HBMI/O接口的SoC面積要求（從6降至1mm2），并有可能將與HBM存儲器堆棧的互連長度縮短多達1mm。使用混合銅鍵合也可以將芯片直接鍵合到硅上。我們正在開發從芯片到芯片混合鍵合的知識，以高公差的拾取和放置精度開發出小3mm間距的管芯到芯片的混合鍵合。

LPC4078FBD144 TJA1040T/CM118 PMZ390UNEYL MAX809RD LPC1114F 74AHC1G126GW 74AUP1G125GW S9S12XS256J0VAA MKE18F256VLH16 LPC1517JBDLVC2G240DP FS32K146UAT0VLL TJA1044GTK/3Z 74HC08D653 LPC11E14FBD48/HC594DB FS32K148UJT0VLQ UJA1066TW/5V0/T S9S12XS128J1VAE TL431QDBZ MK20DN32VLF5 LPC2214FBD144/01K SPC5605BK0MLL6R PN5321A3HN/C106 LPC2138FBD64/01 MMPF0100NPANES S9S12P128J0CQK TJA1044GT/1Z MKL17Z256VFT4

電子器件供應鏈一直通過準時制(JIT)、按訂單生產(BTO)和精益生產，來大限度地減少庫存水平，其目標是實現按需向生產線提供適量的元器件。究竟什么是“適量”的元器件？這些參數由終客戶決定——主要是OEM和EMS供應商。眾所周知，電子行業無法被精準預測?！斑@是我次獲得準確的客戶預測。

MIMXRT1052CVL5B LPC54606J512BD208 TJA1051T/E MCIMX6L2DVN10AB MIMXRT1062DVL6B PSSI2021SAY115 MC56F8025VLDR LPC1114FDH28 MC9S08PA60VLD PCA9548ABSLPC1758FBD80 NTS0102DP PCF8563T/HCT1G14GW SPC5744BFK1ACKU2 1PS79SB70 TDF8541TH/N3 KTYMKL27Z256VMP4 MFRC53101T/0FE112 MC9S08AW60CFGER LS1012AXN7KKB LPC1549JBD48QL LPC1224FBD48 MPXV7002GP LPC4078FBD80 TEF8102EN/N1Y S9S12G48AMLF MC06XS4200BFK TJA1057GTJ MKV10Z128VLF7 LPC1778FET180 MPXM2053GST1 MC9S12XEP100MAG SPC5643LK0MLQ1 NX3L1T3157GM MK10DX256VLH7R PCA9617ADPJ PCA9633DP1

但產品涉及的領域很寬，包括電子、電信、辦公設備、機械、陶瓷刀具、人造寶石等，具有穩定的業績保障，例如，的英特爾CPU就是采用了京瓷的精密陶瓷IC表面封裝技術。圖片從產品結構來看，京瓷的零部件（包括汽車等工業零部件、半導體零部件和電子元器件）營收占比53.9%。營業利潤占比達到71%。

S9S12ZVL32F0MLC MCIMX6S5DVM10AD BC847BV TJA1048TK TDF8546JV/N2ZU LPC3130FET180 PSMN040-100MSE LPC4320FBD144 MC56F82748VLHR TDF8532HH/N2 BGU8019X P2040NSN7MMC PCF7946AT/1081/CM SN100TUK1/B201AW S9S12G10VLH TDA8547TS/N1 LPC2361FBD100 PMEG3010ER ＴＪＡ１０５０Ｔ TJA1057GT/3J TEA1755T/1 MK66FN2M0VLQ18R TJA1044VT S912ZVCA64F0MLFR TJA1051T/PMEG4050ETP

這些能量以共?；虿钅F的形式傳播到其他部件中。陶瓷片電容需要比時鐘電路要求的自激頻率更大的頻率，這樣可選擇一個自激頻率在10～30MHz，邊沿速率是2ns或者更小的電容。同理可知，由于許多PCB的自激范圍是200～400MHz，當把PCB結構看做一個大電容時，可以選用適當的去耦電容。