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我們都知道，源極之間的 mosfet 柵極和漏極是介電層，因此在柵極和漏極之間一定有一個寄生電容在 cgs 和 cgd 之間，溝道沒有形成，漏極之間也有一個寄生電容的 cds，所以在考慮寄生電容時，mosfet 等效電路如圖2所示。

我們都應該知道，MOSFET的柵極和漏極之間有介質層，所以柵極和漏極之間必然存在寄生電容CGS和CGD。當沒有形成溝道時，漏極和源極之間也存在寄生電容CDS。因此，當考慮寄生電容時，MOSFET的等效電路將如圖2所示。但是，我們在MOSFET數據手冊中一般看不到這三個參數，手冊中給出的參數是CISS、COSS和CRSS(見圖1)。

圖 1 某數據技術手冊進行關于寄生電容的描述

他們與CGS、CGD、CDS的關系如下：

Sith (CGS) CGD (CDS plus pictured), Corsese s CDS s CGD, Klaas s CGD

圖2考慮寄生電容的 mosfet 模型

讓我們看看這些寄生參數是如何影響開關速度的。如圖3所示，當驅動信號UI出現時，MOSFET處于關閉狀態。此時，CGS和CGD上的電壓為UGS=0，ugd=-VDD，CGS和CGD上的電荷量為Qgs=0，QGD=ugdcgd=vddcgd。接下來，UI通過RG對CGS充電，UGS逐漸增大（在這個過程中，隨著UGS的增大，CGD也會放電，但由于VDD比UGS大得多，CGD不會導致柵極電流的顯著增大）。當UGS達到閾值電壓時，一個電流開始流過MOSFET（事實上，當UGS沒有達到閾值電壓時，一個小電流已經流過MOSFET）。MOSFET上的電壓降開始從原來的VDD下降，CGD上的電壓也會下降。然后，它將伴隨著CGD的釋放。

由于CGD上的電荷量QGD=vddcgd較大，放電時間較長。在放電期間，柵極電流基本上用于CGD的放電，因此柵極源極電壓的增加變慢。放電后，UI繼續通過RG對CGS和CGD充電（因為此時MOSFET完全導通，相當于CGS和CGD并聯），直到柵極源電壓達到UI，開啟過程完成。圖4中的曲線很好地描述了在傳導過程中UGS隨時間的變化曲線。應該注意的是，實際曲線不是一條直線，因為驅動器不提供電流源。圖4僅表示上升趨勢。

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